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À haute fréquence large de bande au FET 28V RoHs du transistor de puissance de 1GHz 55W rf LDMOS conforme

Name: À haute fréquence large de bande au FET 28V RoHs du transistor de puissance de 1GHz 55W rf LDMOS conforme
Brand: VBE
SKU: VBE10R5
Rating: 4.5 (116 reviews)

Détails du produit

Lieu d'origine: La Chine

Nom de marque: VBE

Certification: ISO

Numéro de modèle: VBE10R5

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Condition:

tout nouveau et original

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À haute fréquence large de bande au FET 28V RoHs du transistor de puissance de 1GHz 55W rf LDMOS conforme

À haute fréquence large de bande au FET 28V RoHs du transistor de puissance de 1GHz 55W rf LDMOS conforme 0

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